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根據稀釋理論,晶間腐蝕是由于組件的稀釋晶界由于容易沉淀的第二階段的晶界(1)奧氏體不銹鋼,鉻缺乏是由于晶界Cr23C6階段的降水,(2)對于Ni Mo合金，ni7mo5在晶界處析出，鉬在晶界處含量較低;(3)對于銅鋁合金，CuAl2在晶界處析出，導致晶界處銅含量較低。
非敏化(固溶體)晶間腐蝕是指Cr - Ni奧氏體不銹鋼在高溫(1000 ~ 1150℃)加熱和保溫后快速冷卻后的固溶體狀態。不需要敏化(焊接或450 ~ 850°C敏化溫度加熱)處理，在某些腐蝕性介質中也會發生相同的晶間腐蝕。產生非敏化晶間腐蝕的Cr - Ni奧氏體不銹鋼不僅包括普通不銹鋼，還包括耐敏化晶間腐蝕的超低碳不銹鋼和含有穩定元素Ti、Nb的不銹鋼。
鈦和鈮:抗晶間腐蝕是有益的,因為他們的親和力與C CR的大于C .為了防止鉻碳化物的形成,首先不銹鋼加熱到1100℃將所有碳化物溶解成奧氏體,然后冷卻到900℃幾個小時完全反應Ti或與碳Nb。在后期碳化鉻析出溫度范圍內，加熱不會形成碳化鉻。
晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質中沿晶界發生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結處的排列必須逐漸從一個取向轉變為另一個取向。因此，晶界實際上是一種“表面”不完整的結構缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因為晶界的能量高，原子處于不穩定狀態。
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