在不銹鋼可能產生晶間腐蝕的區域，是否發生晶間腐蝕以及腐蝕的程度是由鋼熱處理系統對晶間腐蝕的敏感性決定的，即取決于加熱的程度、時間和冷卻速度。在750℃以上，析出不連續顆粒，Cr容易擴散，不發生晶間腐蝕。在600 ~ 700℃時，網狀Cr23C6析出，晶間腐蝕最為嚴重。在600℃以下，Cr和C擴散緩慢，形成碳化物的時間較長，腐蝕減弱。450℃以下:難以晶間腐蝕。

晶間腐蝕條件:1。金屬或合金中含有雜質，或沿晶界析出第二相。2. 由于晶界和晶粒之間的化學成分不同，在合適的介質中形成腐蝕電池。晶界為陽極，晶界為陰極，晶界產生選擇性溶解。3.有一種特定的腐蝕性介質。

將1Cr18Ni9奧氏體不銹鋼加熱到1050 ~ 1150℃，固溶碳的固溶度為0.10 ~ 0.15%，然后淬火。經固溶處理的1Cr18Ni9鋼是一種碳過飽和體，不會產生晶間腐蝕。在700 ~ 800℃的溫度范圍內，碳的固溶體不超過0.02%，過飽和碳將從奧氏體中完全或部分析出。這時,碳會擴散到晶界和結合鐵和鉻在晶界形成硬質合金Cr23C6鉻含量高、消耗鉻在晶界面積,和鉻粒內擴散速度慢得多比在晶界,在晶界區消耗的鉻沒有時間補充，因此在晶界區形成鉻貧區。對于不銹鋼來說，由于晶界鈍化狀態的破壞，晶界上析出的碳化鉻周圍的貧鉻區成為陽極區，而碳化鉻和晶粒處于鈍化狀態成為陰極區。在腐蝕介質中，晶界和晶粒形成活化的鈍化微胞。電池陰極大，陽極面積比小，加速了晶界區域的腐蝕。

晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質中沿晶界發生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結處的排列必須逐漸從一個取向轉變為另一個取向。因此，晶界實際上是一種“表面”不完整的結構缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因為晶界的能量高，原子處于不穩定狀態。