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晶界吸附理論:超低碳不銹鋼經1050℃固溶處理后，在強氧化介質中也會發生晶間腐蝕。這時，鉻差或不銹鋼不能采用σ相析出理論。實驗表明，當p雜質達到100ppm或Si雜質達到1000 ~ 2000ppm時，它們會在高溫區晶界處吸附分離。這些雜質在強氧化劑介質的作用下會溶解，在晶界處產生選擇性晶間腐蝕。該鋼經敏化處理后不會出現晶間腐蝕，因為碳和磷形成了磷碳化物，限制了磷向晶界的擴散，降低了雜質在晶界的偏析，消除或減弱了對晶間腐蝕的敏感性。
晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質中沿晶界發生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結處的排列必須逐漸從一個取向轉變為另一個取向。因此，晶界實際上是一種“表面”不完整的結構缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因為晶界的能量高，原子處于不穩定狀態。
奧氏體不銹鋼雖然是一種焊接性能優良的鋼，但在焊接熱影響區相對母材再次受熱，導致熔化線附近碳化物析出，晶間腐蝕嚴重。
晶間腐蝕的特點是當金屬表面沒有損傷時，晶粒間的結合力和金屬的脆響已經喪失。在嚴重的情況下，只要輕輕敲擊，它就會碎成粉末。
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