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晶間腐蝕條件:1。金屬或合金中含有雜質，或沿晶界析出第二相。2. 由于晶界和晶粒之間的化學成分不同，在合適的介質中形成腐蝕電池。晶界為陽極，晶界為陰極，晶界產生選擇性溶解。3.有一種特定的腐蝕性介質。
不銹鋼在酸性介質中存在嚴重的晶間腐蝕。特別是在H2SO4或HNO3中加入Cu2 +、Hg2 +、Cr6 +等氧化離子可以增加陰極過程的電流密度。晶間陽極的溶解速度明顯加快。
晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結處的排列必須逐漸從一個取向轉變?yōu)榱硪粋€取向。因此，晶界實際上是一種“表面”不完整的結構缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因為晶界的能量高，原子處于不穩(wěn)定狀態(tài)。
晶間腐蝕的控制方法如下:1。減少或消除有害雜質。如降低碳、氮、硫等雜質的含量。加入穩(wěn)定元素或晶界吸附元素。如在不銹鋼中加入Ti, Nb或B。適當?shù)臒崽幚砉に嚒?.必須避免在敏化區(qū)加熱不銹鋼。焊件應在焊后進行固溶處理或快速冷卻，以避免停留在敏化溫度和時間。4. 采用雙相鋼。奧氏體鋼中含有10 ~ 20%鐵素體的鋼稱為雙相鋼。由于鐵素體在鋼中主要沿晶界形成，鉻含量高，在敏化溫度范圍內不會產生嚴重的稀釋。
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