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將1Cr18Ni9奧氏體不銹鋼加熱到1050 ~ 1150℃，固溶碳的固溶度為0.10 ~ 0.15%，然后淬火。經固溶處理的1Cr18Ni9鋼是一種碳過飽和體，不會產生晶間腐蝕。在700 ~ 800℃的溫度范圍內，碳的固溶體不超過0.02%，過飽和碳將從奧氏體中完全或部分析出。這時,碳會擴散到晶界和結合鐵和鉻在晶界形成硬質合金Cr23C6鉻含量高、消耗鉻在晶界面積,和鉻粒內擴散速度慢得多比在晶界,在晶界區消耗的鉻沒有時間補充，因此在晶界區形成鉻貧區。對于不銹鋼來說，由于晶界鈍化狀態的破壞，晶界上析出的碳化鉻周圍的貧鉻區成為陽極區，而碳化鉻和晶粒處于鈍化狀態成為陰極區。在腐蝕介質中，晶界和晶粒形成活化的鈍化微胞。電池陰極大，陽極面積比小，加速了晶界區域的腐蝕。
晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質中沿晶界發生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結處的排列必須逐漸從一個取向轉變為另一個取向。因此，晶界實際上是一種“表面”不完整的結構缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因為晶界的能量高，原子處于不穩定狀態。
由于鉻在鐵素體中的遷移速度遠快于奧氏體不銹鋼，即使在高溫下迅速冷卻，也會析出碳化物，造成鉻貧區和晶間腐蝕。而在700 ~ 800℃退火時，亞穩相cr23c3轉變為穩定相Cr23C6，使鉻分布趨于均勻，消除了晶間腐蝕的傾向。
鉻、鎳、鉬、硅:Cr、Mo含量的增加會降低C的活性，降低晶體腐蝕的傾向;Ni、Si等不形成碳化物的元素會提高C的活性，降低C在奧氏體中的溶解度，促進碳化物的析出。
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