不銹鋼臨界縫隙腐蝕溫度檢測(cè)注意事項(xiàng)有哪些，采用可使金屬的腐蝕電位處在恒電位陽(yáng)極極化曲線特定區(qū)間的各種試驗(yàn)溶液，利用金屬的晶粒和晶界在該電位區(qū)間腐蝕電流的顯著差異加速顯示晶間腐蝕。通過對(duì)材料的
晶間腐蝕檢測(cè)，能快速了解材料的化學(xué)成分、熱處理和加工工藝是否合理 。
晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質(zhì)中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結(jié)處的排列必須逐漸從一個(gè)取向轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪粋€(gè)取向。因此，晶界實(shí)際上是一種“表面”不完整的結(jié)構(gòu)缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內(nèi)。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質(zhì)中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因?yàn)榫Ы绲哪芰扛撸犹幱诓环€(wěn)定狀態(tài)。
鉻鎳奧氏體不銹鋼的非敏化晶間腐蝕直到1949年才被發(fā)現(xiàn)。雖然已經(jīng)進(jìn)行了一些研究工作，但到目前為止，還沒有從理論到實(shí)踐得到滿意的解釋和解決。
根據(jù)稀釋理論,晶間腐蝕是由于組件的稀釋晶界由于容易沉淀的第二階段的晶界(1)奧氏體不銹鋼,鉻缺乏是由于晶界Cr23C6階段的降水,(2)對(duì)于Ni Mo合金，ni7mo5在晶界處析出，鉬在晶界處含量較低;(3)對(duì)于銅鋁合金，CuAl2在晶界處析出，導(dǎo)致晶界處銅含量較低。
推薦使用超低碳鉻鎳奧氏體不銹鋼。由于超低碳[C & lt= 0.02 ~ 0.03%] Cr Ni奧氏體不銹鋼的強(qiáng)度低于Ti和Nb穩(wěn)定不銹鋼。當(dāng)強(qiáng)度不足時(shí)，可選擇氮控[n0.05 ~ 0.08%]和氮合金化[n & gt] = 0.10%]超低碳Cr - Ni奧氏體不銹鋼不僅強(qiáng)度高，而且比含Ti、Nb的奧氏體不銹鋼具有更好的抗晶間腐蝕和點(diǎn)蝕性能。
不銹鋼臨界縫隙腐蝕溫度檢測(cè)注意事項(xiàng)有哪些針對(duì)以上內(nèi)容大家都了解了嗎？在實(shí)際的生產(chǎn)實(shí)踐中
晶間腐蝕檢測(cè)應(yīng)根據(jù)具體情況，依據(jù)可靠性和適用性的原則選擇合適的方法，從而達(dá)到高效、準(zhǔn)確的檢驗(yàn)?zāi)康摹?/div>
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